DMN3016LPS-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

N-Channel 30V 10.8A Ta 1.18W Ta Surface Mount PowerDI5060-8

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MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060

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DMN3016LPS-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.18W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.8A

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 1415pF @15VVds

额定功率Max 1.18 W

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.18W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3016LPS-13引脚图与封装图

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