DMT10H015LCG-7

Diodes(美台) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 2 V

N-Channel 100V 9.4A Ta, 34A Tc 1W Ta Surface Mount

得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 2 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R

安富利:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333-8 T&R; 2K

DMT10H015LCG-7中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0121 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1871pF @50VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN-8

外形尺寸

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMT10H015LCG-7引脚图与封装图

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