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DDTC114GKA-7-F

DDTC114GKA-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3


DDTC114GKA-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

高度 1.3 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDTC114GKA-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC114GKA-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC114GKA-7-F Diodes 美台 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R 搜索库存
替代型号DDTC114GKA-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTC114GKA-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SC-59-3 NPN 200mW

当前型号

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R

当前型号

型号: DDTC114GCA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R

DDTC114GKA-7-F和DDTC114GCA-7-F的区别

型号: DDTC114GKA-7

品牌: 美台

封装: SC-59 NPN

功能相似

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

DDTC114GKA-7-F和DDTC114GKA-7的区别