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DDTC144GE-7

DDTC144GE-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


立创商城:
DDTC144GE-7


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47KW


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


DDTC144GE-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

DDTC144GE-7引脚图与封装图
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在线购买DDTC144GE-7
型号 制造商 描述 购买
DDTC144GE-7 Diodes 美台 TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523 搜索库存
替代型号DDTC144GE-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTC144GE-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA

当前型号

TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523

当前型号

型号: PDTC144TU,115

品牌: 安世

封装:

功能相似

NXP PDTC144TU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 UMT封装

DDTC144GE-7和PDTC144TU,115的区别

型号: DDTC144GE-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

功能相似

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

DDTC144GE-7和DDTC144GE-7-F的区别