DDTB122LU-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTB122LU-7-F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DDTB122LU-7-F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DDTB122LU-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTB122LU-7-F | Diodes 美台 | TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323 | 搜索库存 |
替代型号DDTB122LU-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DDTB122LU-7-F 品牌： Diodes 美台 封装： SOT323 PNP 50V 500mA 200mW | 当前型号 | TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323 | 当前型号 |
| 型号： DDTB122LU-7 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 50V 500mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 10K | DDTB122LU-7-F和DDTB122LU-7的区别 |