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DDTA114GCA-7

DDTA114GCA-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


DDTA114GCA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DDTA114GCA-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DDTA114GCA-7 Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW 搜索库存
替代型号DDTA114GCA-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTA114GCA-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

当前型号

型号: DDTA114GCA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA 200mW

完全替代

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

DDTA114GCA-7和DDTA114GCA-7-F的区别