DDTC114TCA-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTC114TCA-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
DDTC114TCA-7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DDTC114TCA-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTC114TCA-7 | Diodes 美台 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
替代型号DDTC114TCA-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DDTC114TCA-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW | 当前型号 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 |
| 型号： DDTC114TCA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW | DDTC114TCA-7和DDTC114TCA-7-F的区别 |