DMN5L06DW-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN5L06DW-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 305 mA
通道数 2
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 mW
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
连续漏极电流Ids 280 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN5L06DW-7引脚图与封装图
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在线购买DMN5L06DW-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN5L06DW-7 | Diodes 美台 | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号DMN5L06DW-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN5L06DW-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 N-CH 50V 280mA 50pF | 当前型号 | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： DMN5L06DWK-7 品牌： 美台 封装： SOT-363 Dual N-Channel 50V 305mA 50pF | 类似代替 | 2个N沟道,Vdss=50V,Idss=305mA | DMN5L06DW-7和DMN5L06DWK-7的区别 |