DMG4932LSD-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 9.5A 1.19W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A Automotive 8-Pin SO T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8

DMG4932LSD-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.19 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.5A

输入电容Ciss 1932pF @15VVds

额定功率Max 1.19 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG4932LSD-13引脚图与封装图

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