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DDTA113TUA-7

DDTA113TUA-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary NPN Types Available DDTC

• Built-In Biasing Resistor, R1 only


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1KW


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTA113TUA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

DDTA113TUA-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DDTA113TUA-7 Diodes 美台 TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323 搜索库存
替代型号DDTA113TUA-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTA113TUA-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-323 PNP 50V 100mA

当前型号

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

当前型号

型号: DDTA113TUA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW

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