DMN1150UFL3-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN1150UFL3-7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 900 mW
漏源极电压Vds 12 V
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 115pF @6VVds
额定功率Max 390 mW
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DFN1310-6
外形尺寸
封装 DFN1310-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN1150UFL3-7引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN1150UFL3-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 12V 2A Automotive 6Pin X2-DFN T/R | 搜索库存 |