DMHC6070LSD-13

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8Pin SO T/R

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel H-Bridge 60V 3.1A, 2.4A Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R

DMHC6070LSD-13中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 731pF @20VVds

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMHC6070LSD-13引脚图与封装图

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