DDA142JU-7-F

Diodes(美台) 分立器件

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.47K10K

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

DDA142JU-7-F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDA142JU-7-F引脚图与封装图

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