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DDA123JU-7

DDA123JU-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47 KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.0468 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications |  PNP型PRE-BIASED   双表面山   外延平面模施工   内置的偏置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读

DDA123JU-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DDA123JU-7引脚图与封装图
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在线购买DDA123JU-7
型号 制造商 描述 购买
DDA123JU-7 Diodes 美台 特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻 搜索库存
替代型号DDA123JU-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDA123JU-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363/SC-88/SC70-6 PNP 50V 100mA

当前型号

特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻

当前型号

型号: DDA123JU-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 PNP 50V 100mA 200mW

完全替代

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R

DDA123JU-7和DDA123JU-7-F的区别