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DCX114TU-7-F

DCX114TU-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K

Compared to traditional BJ transistors, the npn and PNP digital transistor from Zetex is meant to be used with digital signal processing circuits. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 100@1mA@5 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.3@0.25mA@2.5mA|0.3@0.1mA@1mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DCX114TU-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DCX114TU-7-F引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DCX114TU-7-F Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DCX114TU-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 NPN+PNP 200mW

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K

当前型号

型号: DCX114TU-7

品牌: 美台

封装: SOT-363-6 NPN+PNP

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