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DDTA114TUA-7

DDTA114TUA-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary NPN Types Available DDTC

• Built-In Biasing Resistor, R1 only


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTA114TUA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DDTA114TUA-7引脚图与封装图
暂无图片
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型号 制造商 描述 购买
DDTA114TUA-7 Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW 搜索库存
替代型号DDTA114TUA-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTA114TUA-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-323 PNP 50V 100mA

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

当前型号

型号: DDTA114TUA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW

完全替代

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

DDTA114TUA-7和DDTA114TUA-7-F的区别

型号: BCR183WH6327XTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SC-70 PNP 250mW

功能相似

Infineon BCR183WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

DDTA114TUA-7和BCR183WH6327XTSA1的区别