额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DDTA114TUA-7 | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DDTA114TUA-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-323 PNP 50V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW | 当前型号 | |
型号: DDTA114TUA-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 PNP 50V 100mA 200mW | 完全替代 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R | DDTA114TUA-7和DDTA114TUA-7-F的区别 | |
型号: BCR183WH6327XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SC-70 PNP 250mW | 功能相似 | Infineon BCR183WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | DDTA114TUA-7和BCR183WH6327XTSA1的区别 |