DCX122LH-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6Pin SOT-563 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 0.22K

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

DCX122LH-7中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DCX122LH-7引脚图与封装图

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