DMMT5551-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
额定电压DC 180 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-6
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMMT5551-7 | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW Automotive 6Pin SOT-26 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMMT5551-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-26 NPN 180V 200mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW Automotive 6Pin SOT-26 T/R | 当前型号 | |
型号: DMMT5551-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-26 NPN 180V 200mA 300mW | 完全替代 | DIODES INC. DMMT5551-7-F 双极晶体管阵列, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26 | DMMT5551-7和DMMT5551-7-F的区别 |