DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW 系列 60 V 115 mA 5 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-363

最大源漏极电压Vds

Drain-Source Voltage | 60V

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最大栅源极电压Vgs±

Gate-Source Voltage | 20V

最大漏极电流Id

Drain Current | 115MA

源漏极导通电阻Rdson

FET Drain-Source On-State Resistance | VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω

开启电压Vgs（th）

Gate-Source Threshold Voltage | 2V

耗散功率Pd

Power Dissipation | 250MW

描述与应用

Description & Applications | | •双N沟道MOSFET | •低导通电阻 | •低栅极阈值电压 | •低输入电容 | •开关速度快 | •小型表面贴装封装 | •ESD保护门，1KV（HBM） | •无铅/符合RoHS标准（注2） | •符合AEC-Q101标准的高可靠性

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