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DDC123JH-7

DDC123JH-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DDC123JH-7 编带

In addition to offering some of the benefits of traditional BJTs, the NPN digital transistor, developed by Zetex, can be used in digital signal processing circuits as well. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@10mA@5 V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DDC123JH-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDC123JH-7引脚图与封装图
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在线购买DDC123JH-7
型号 制造商 描述 购买
DDC123JH-7 Diodes 美台 DDC123JH-7 编带 搜索库存
替代型号DDC123JH-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDC123JH-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-563 NPN 150mW

当前型号

DDC123JH-7 编带

当前型号

型号: EMH10T2R

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 0.15W

功能相似

EMT NPN 50V 100mA

DDC123JH-7和EMH10T2R的区别