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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双N沟道增强型MOSFET

MOSFET


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963


立创商城:
2个N沟道 20V 240mA


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The DMN26D0UDJ-7 power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 0.24A SOT963


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R


儒卓力:
**N+N CH.MOS+ESD 20V 0,24A SOT963 **


力源芯城:
双N沟道增强型MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963


DMN26D0UDJ-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.3 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.24A

上升时间 7.9 ns

输入电容Ciss 14.1pF @15VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 15.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963

外形尺寸

长度 1 mm

封装 SOT-963

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

DMN26D0UDJ-7引脚图与封装图
DMN26D0UDJ-7封装焊盘图

DMN26D0UDJ-7封装焊盘图

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