DDTC115GKA-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTC115GKA-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
外形尺寸
高度 1.3 mm
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DDTC115GKA-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC115GKA-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTC115GKA-7-F | Diodes 美台 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R | 搜索库存 |
替代型号DDTC115GKA-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DDTC115GKA-7-F 品牌： Diodes 美台 封装： SC-59-3 NPN 200mW | 当前型号 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R | 当前型号 |
| 型号： DDTC115GCA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K | DDTC115GKA-7-F和DDTC115GCA-7-F的区别 |