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DCX114EU-13R-F

DCX114EU-13R-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DCX114EU-13R-F 双 NPN,PNP 数字晶体管, -0.5 μA,0.5 μA, Vce=-50 V, 50 V, 电阻比:47 kΩ, 6针 SOT-363封装

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
Dig. Transistor NPN/PNP 10k 10k SOT363


安富利:
Trans Darlington NPN/PNP 50V 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


儒卓力:
**NPN PNP DIGI-TR.10/10K 180°TURN **


DCX114EU-13R-F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DCX114EU-13R-F引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DCX114EU-13R-F Diodes 美台 DCX114EU-13R-F 双 NPN,PNP 数字晶体管, -0.5 μA,0.5 μA, Vce=-50 V, 50 V, 电阻比:47 kΩ, 6针 SOT-363封装 搜索库存