DDC115EU-7-F

Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 100kOhm NPN Dual Trans 200mW

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100kOhm NPN Dual Trans 200mW

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

安富利:
PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R; 3K

DDC115EU-7-F中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

输出电压 100 mV

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDC115EU-7-F引脚图与封装图

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