DDTC144TUA-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTC144TUA-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
DDTC144TUA-7引脚图与封装图
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在线购买DDTC144TUA-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTC144TUA-7 | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 47KW | 搜索库存 |
替代型号DDTC144TUA-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DDTC144TUA-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 47KW | 当前型号 |
| 型号： DDTC144TUA-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 0.2W | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K | DDTC144TUA-7和DDTC144TUA-7-F的区别 |
| 型号： MUN5213T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5213T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-70 | DDTC144TUA-7和MUN5213T1G的区别 |
| 型号： PDTC144EU,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 NPN 200mW | 功能相似 | NXP PDTC144EU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | DDTC144TUA-7和PDTC144EU,115的区别 |