DMN3050S-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.2A
输入电容Ciss 390pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN3050S-7 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN3050S-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-23 N-CH 30V 5.2A | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | 当前型号 | |
型号: DMN3404L-7 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 30V 5.8A | 类似代替 | 30V,5.8A,N沟道增强型MOSFET | DMN3050S-7和DMN3404L-7的区别 |