DMN601VKQ-7

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 305mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

贸泽:
MOSFET 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 6-Pin SOT-563 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

DMN601VKQ-7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.25 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN601VKQ-7引脚图与封装图

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