额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DDTC114EUA-7 | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DDTC114EUA-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW | 当前型号 | |
型号: DDTC114EUA-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW | 类似代替 | 特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准 | DDTC114EUA-7和DDTC114EUA-7-F的区别 | |
型号: PDTC114EU,115 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | 双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DDTC114EUA-7和PDTC114EU,115的区别 | |
型号: BCR133WH6327XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-323 NPN 250mW | 功能相似 | Infineon BCR133WH6327XTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | DDTC114EUA-7和BCR133WH6327XTSA1的区别 |