DMN3016LDN-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 16.5 ns
输入电容Ciss 1415pF @15VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 5.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VDFN3030-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.8 mm
封装 VDFN3030-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN3016LDN-7 | Diodes 美台 | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | 搜索库存 |