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DDTA114ECA-7

DDTA114ECA-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


DDTA114ECA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTA114ECA-7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DDTA114ECA-7
型号 制造商 描述 购买
DDTA114ECA-7 Diodes 美台 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存
替代型号DDTA114ECA-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTA114ECA-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 100mA 200mW

当前型号

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin SOT-23 T/R

当前型号

型号: DDTA114ECA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 PNP 50V 50mA 200mW

类似代替

特点 •PNP预偏置小信号SOT-2..

DDTA114ECA-7和DDTA114ECA-7-F的区别

型号: DTA114ECAT116

品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-23-3 PNP

功能相似

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

DDTA114ECA-7和DTA114ECAT116的区别