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DDTC114TE-7-F

DDTC114TE-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

NPN - 预偏压 100mA 50V

Look no further than Zetex"s NPN digital transistor"s, the ideal component to use when designing a digital signal processing unit. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 100@1mA@5 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.3@0.1mA@1mA V. Its maximum power dissipation is 150 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DDTC114TE-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTC114TE-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC114TE-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC114TE-7-F Diodes 美台 NPN - 预偏压 100mA 50V 搜索库存
替代型号DDTC114TE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTC114TE-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

当前型号

NPN - 预偏压 100mA 50V

当前型号

型号: DDTC114TE-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA

完全替代

TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523

DDTC114TE-7-F和DDTC114TE-7的区别

型号: DDTC114TUA-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

类似代替

双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW

DDTC114TE-7-F和DDTC114TUA-7-F的区别

型号: RT1N140U

品牌: 三菱

封装:

功能相似

RT1N140U 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k SOT-523 marking/标记 N7

DDTC114TE-7-F和RT1N140U的区别