DDTD133HU-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTD133HU-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DDTD133HU-7-F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DDTD133HU-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DDTD133HU-7-F | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K | 搜索库存 |