DMN2050LFDB-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN2050LFDB-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.42 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 389pF @10VVds
额定功率Max 730 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 730 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UDFN2020-6
外形尺寸
封装 UDFN2020-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN2050LFDB-13引脚图与封装图
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在线购买DMN2050LFDB-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN2050LFDB-13 | Diodes 美台 | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | 搜索库存 |
替代型号DMN2050LFDB-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN2050LFDB-13 品牌： Diodes 美台 封装： U-DFN2020-6 N-CH 20V 4.5A | 当前型号 | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | 当前型号 |
| 型号： DMN2050LFDB-7 品牌： 美台 封装： 6-UDFN N-CH 20V 4.5A | 功能相似 | 2个N沟道 20V 3.3A | DMN2050LFDB-13和DMN2050LFDB-7的区别 |