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DDTC114YE-7-F

DDTC114YE-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

特性•外延平面模具构建•互补PNP类型可用（DDTA）•内置偏置电阻器R1≠R2•无铅/ RoHS标准•“绿色”设备

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available DDTA • Built-In Biasing Resistors, R1≠R2 • Lead Free/RoHS Compliant • "Green" Device 描述与应用| 特性 •外延平面模具构建 •互补PNP类型可用（DDTA） •内置偏置电阻器R1≠R2 •无铅/ RoHS标准 •“绿色”设备

DDTC114YE-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 68

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

宽度 0.8 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTC114YE-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC114YE-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC114YE-7-F Diodes 美台 特性•外延平面模具构建•互补PNP类型可用（DDTA）•内置偏置电阻器R1≠R2•无铅/ RoHS标准•“绿色”设备 搜索库存
替代型号DDTC114YE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DDTC114YE-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

当前型号

特性•外延平面模具构建•互补PNP类型可用（DDTA）•内置偏置电阻器R1≠R2•无铅/ RoHS标准•“绿色”设备

当前型号

型号： DDTC114YUA-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

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