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DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DIODES INC.  DMG1023UV-7  双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -1.03 A, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 1.03A 530mW 表面贴装型 SOT-563


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563


立创商城:
2个P沟道 20V 1.03A


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, 20 V, 1.03 A, 0.5 ohm, SOT-563, 表面安装


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Diodes Zetex&s;s DMG1023UV-7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 530 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual P-Ch Enhancement MOSFET SOT-563


富昌:
DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG1023UV-7  MOSFET, DUAL P CH, -20V, SOT-563


儒卓力:
**P+P CH.MOS+ESD 20V 1,03A SOT563 **


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563


DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563


DMG1023UV-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 530 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.03A

上升时间 8.1 ns

输入电容Ciss 59.76pF @16VVds

额定功率Max 530 mW

下降时间 20.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 530 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG1023UV-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMG1023UV-7 Diodes 美台 DIODES INC.  DMG1023UV-7  双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -1.03 A, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存