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DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

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Diodes(美台) 分立器件

2个N沟道 20V 5.8A

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 1400 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DMN2029USD-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.4 W

输入电容 1171 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.8A

上升时间 33.3 ns

输入电容Ciss 1171pF @10VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 53.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.95 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN2029USD-13引脚图与封装图
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