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DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

表面贴装型 N 通道 12 V 4.8A(Ta) 900mW(Ta) U-WLB1010-4


得捷:
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4


贸泽:
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A Automotive 4-Pin U-WLB T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R


富昌:
Single N-Channel 12 V 0.9 W 4.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - U-WLB1010-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4


DMN1032UCB4-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 38 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.16 W

阈值电压 0.8 V

输入电容 325 pF

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 4.8A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 450pF @6VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1160 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 U-WLB1010-4

外形尺寸

长度 1.05 mm

封装 U-WLB1010-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN1032UCB4-7引脚图与封装图
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DMN1032UCB4-7 Diodes 美台 MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W 搜索库存