DGD2108S8-13

Diodes(美台) 主动器件

DIODES INC. DGD2108S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 新

半桥栅极驱动器 IC 非反相 8-SO

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

e络盟:
MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8

艾睿:
HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8

安富利:
MOSFET DRVR 0.29A/0.6A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

Newark:
# DIODES INC. DGD2108S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 New

DGD2108S8-13中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 100ns, 35ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

DGD2108S8-13引脚图与封装图

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