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DDTA115EE-7-F

DDTA115EE-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 20mA 3-Pin SOT-523 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 20mA 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 20mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


DDTA115EE-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 82

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDTA115EE-7-F引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DDTA115EE-7-F Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K 搜索库存
替代型号DDTA115EE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DDTA115EE-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 PNP 0.15W

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K100K

当前型号

型号： DDTA115EE-7

品牌： 美台

封装： SOT-523-3 PNP

完全替代

Digital Transistors 150mW 100kW 100kW

DDTA115EE-7-F和DDTA115EE-7的区别