DMT10H010LPS-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
主动器件
极性 N-CH
耗散功率 1.2 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9.4A
上升时间 14.1 ns
输入电容Ciss 3000pF @50VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.2W Ta, 139W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
封装 PowerDI-5060-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive 8Pin PowerDI T/R | 搜索库存 |