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DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN2019UTS 系列 20V 18.5 mOhm 8.8 nC N沟道 增强型 Mosfet TSSOP-8

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 5.4A 780mW 表面贴装型 8-TSSOP


立创商城:
2个N沟道 20V 5.4A


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R; 2.5K


艾睿:
This DMN2019UTS-13 power MOSFET from Diodes Zetex can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 780 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin TSSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 8-Pin TSSOP T/R


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8


DMN2019UTS-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 0.78 W

阈值电压 0.95 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 78 ns

输入电容Ciss 143pF @10VVds

额定功率Max 780 mW

下降时间 234 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 780 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN2019UTS-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMN2019UTS-13 Diodes 美台 DMN2019UTS 系列 20V 18.5 mOhm 8.8 nC N沟道 增强型 Mosfet TSSOP-8 搜索库存