DGD2184S8-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
主动器件
上升/下降时间 40ns, 20ns
输出接口数 2
输出电流 1.8 A
耗散功率 625 mW
上升时间 40 ns
下降时间 20 ns
下降时间Max 35 ns
上升时间Max 60 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DGD2184S8-13 | Diodes 美台 | Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA | 搜索库存 |