DMN10H220LVT-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN10H220LVT-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.67W Ta
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 2.24A
输入电容Ciss 401pF @25VVds
耗散功率Max 1.67W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN10H220LVT-13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN10H220LVT-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6Pin TSOT-26 T/R | 搜索库存 |