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DMC1229UFDB-13

DMC1229UFDB-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A Automotive 6Pin UDFN EP T/R

Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 Type B


得捷:
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the DMC1229UFDB-13 power MOSFET from Diodes Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 1400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R


DMC1229UFDB-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 5.6A/3.8A

输入电容Ciss 914pF @6VVds

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMC1229UFDB-13引脚图与封装图
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DMC1229UFDB-13 Diodes 美台 Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A Automotive 6Pin UDFN EP T/R 搜索库存