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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMG6601LVT 系列 30V 110 mΩ N & P 沟道 互补对 增强模式 Mosfet

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.8A,2.5A 850mW 表面贴装型 TSOT-26


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT


立创商城:
DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A 场效应管


贸泽:
MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 3.8 A, 0.034 ohm, TSOT-26, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R


Allied Electronics:
Complem. Pair Enhancement MOSFET TSOT-26


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3/-2A; 0.54W; TSOT26


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG6601LVT-7  MOSFET, N & P-CH, 30V, TSOT-26


儒卓力:
**N+P-CH 30/-30V 3,8/-2,5A TSOT26 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT


DMG6601LVT-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.54 W

针脚数 6

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.8A/2.5A

输入电容Ciss 422pF @15VVds

额定功率Max 850 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG6601LVT-7引脚图与封装图
DMG6601LVT-7引脚图

DMG6601LVT-7引脚图

DMG6601LVT-7封装图

DMG6601LVT-7封装图

DMG6601LVT-7封装焊盘图

DMG6601LVT-7封装焊盘图

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DMG6601LVT-7 Diodes 美台 DMG6601LVT 系列 30V 110 mΩ N & P 沟道 互补对 增强模式 Mosfet 搜索库存