DMN61D8LVT-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN61D8LVT-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.09 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.63A
上升时间 301 ns
输入电容Ciss 12.9pF @12VVds
额定功率Max 820 mW
下降时间 440 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1090 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN61D8LVT-7引脚图与封装图
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在线购买DMN61D8LVT-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN61D8LVT-7 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6Pin TSOT-26 T/R | 搜索库存 |
替代型号DMN61D8LVT-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN61D8LVT-7 品牌： Diodes 美台 封装： TSOT-26 N-CH 60V 0.63A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6Pin TSOT-26 T/R | 当前型号 |
| 型号： DMN61D8LVT-13 品牌： 美台 封装： TSOT-26 N-CH 60V 0.63A | 功能相似 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | DMN61D8LVT-7和DMN61D8LVT-13的区别 |