DMT3011LDT-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 8A/10.7A 8Pin VDFN EP T/R

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 8A，10.7A 1.9W 表面贴装型 V-DFN3030-8（K 类）

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A/10.7A 8-Pin VDFN EP T/R

安富利:
MOSFET BVDSS: 31V~40V V-DFN3030-8 T&R; 3K

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A/10.7A 8-Pin VDFN EP T/R

DMT3011LDT-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8A/10.7A

输入电容Ciss 641pF @15VVds

额定功率Max 1.9 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN3030-8

外形尺寸

封装 VDFN3030-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT3011LDT-7引脚图与封装图

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