DMT6010LFG-13

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8Pin PowerDI T/R

N-Channel 60V 13A Ta, 30A Tc 2.2W Ta, 41W Tc Surface Mount PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin PowerDI T/R

DMT6010LFG-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.2W Ta, 41W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 2090pF @30VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT6010LFG-13引脚图与封装图

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