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DDTC143ZE-7-F

DDTC143ZE-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW

Compared to traditional BJ transistors, the NPN digital transistor from Zetex is meant to be used with digital signal processing circuits. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@10mA@5 V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

DDTC143ZE-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTC143ZE-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC143ZE-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC143ZE-7-F Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW 搜索库存
替代型号DDTC143ZE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTC143ZE-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW

当前型号

型号: DDTC143ZE-7

品牌: 美台

封装: SOT-523 NPN 50V 100mA

完全替代

TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523

DDTC143ZE-7-F和DDTC143ZE-7的区别