DMNH10H028SK3Q-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 28 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
阈值电压 2 V
输入电容 2245 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 2245pF @50VVds
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.2 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |